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760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器VCSEL TO39 760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點(diǎn),2nm調(diào)諧范圍,專為可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜（TDLAS）應(yīng)用而設(shè)計(jì),內(nèi)置防靜電（ESD）保護(hù).

1567nm VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器 1.0mW 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡(jiǎn)稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結(jié)構(gòu)由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。

795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±10°C) 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡(jiǎn)稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。

852±1nm Philips單模VCSEL激光器 1mW（帶TEC） Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國(guó)內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫(kù)存波長(zhǎng)760nm 用于TDLAS氧氣檢測(cè)，以及795nm用于Rb原子鐘實(shí)驗(yàn)，還有852nm用于CS原子冷卻。

795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips (二極管已停產(chǎn) 芯片在售) Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國(guó)內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫(kù)存波長(zhǎng)760nm 用于TDLAS氧氣檢測(cè)，以及795nm用于Rb原子鐘實(shí)驗(yàn)，還有852nm用于CS原子冷卻。