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  • SML1100003YY0D6PXXXX1100nm光纖耦合激光二極管(200mW)

    1100nm光纖耦合激光二極管(200mW) 產品總覽 光纖耦合激光器是一種將激光束通過光纖傳輸的激光設備,廣泛應用于通訊、醫療、工業加工等領域。其核心優勢在于能夠高效地將激光光束耦合進入光纖,從而實現精準的能量傳輸和高效的能量輸出。

    更新時間:2025-03-17
    產品型號:SML1100003YY0D6PXXXX
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  • V00145-Group3795nm VCSEL低功耗芯片GaAs 0.13mW (Group3 Ta=80±10&

    795nm VCSEL低功耗芯片GaAs 0.13mW (Group3 Ta=80±10°C) 產品總覽 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。

    更新時間:2025-03-14
    產品型號:V00145-Group3
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  • V00145-Group1795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±

    795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±10°C) 產品總覽 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。

    更新時間:2025-03-14
    產品型號:V00145-Group1
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  • V00145-Group2795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±

    795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±10°C) 產品總覽 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。

    更新時間:2025-03-14
    產品型號:V00145-Group2
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  • L9418-42CWLD連續激光二極管 980nm 1W

    CWLD連續激光二極管 980nm 1W 產品總覽 這些二極管在多種橫向模式下運行,可產生更高的輸出功率。最合適的 LD 可以選自各種波長、發光部的大小、輸出功率等。

    更新時間:2025-03-13
    產品型號:L9418-42
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