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P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器
RFLDM-RF射頻激光二極管驅動(控制/電源)
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm(晶體/棱鏡
2x4 QPSK C波段相干混頻器(信號解調/鎖相放大器等)
Frequad-W-CW DUV 單頻連續激光器 213nm 10mW Frequad-W
截止波長1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC(連接器/光纖束/光纜)
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
WISTSense Point 緊湊型高精度光纖傳感器解調儀(信號解調/鎖相放大器等)
CO2激光光譜分析儀
超高功率光束質量分析儀
350-2000nm 1倍紅外觀察鏡
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
高能激光光譜光束組合的光柵 (色散勻化片)
S+C+L波段 160nm可調諧帶通濾波器
1100nm光纖耦合激光二極管(200mW) 產品總覽 光纖耦合激光器是一種將激光束通過光纖傳輸的激光設備,廣泛應用于通訊、醫療、工業加工等領域。其核心優勢在于能夠高效地將激光光束耦合進入光纖,從而實現精準的能量傳輸和高效的能量輸出。
更新時間:2025-03-17
產品型號:SML1100003YY0D6PXXXX
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795nm VCSEL低功耗芯片GaAs 0.13mW (Group3 Ta=80±10°C) 產品總覽 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。
更新時間:2025-03-14
產品型號:V00145-Group3
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795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±10°C) 產品總覽 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。
更新時間:2025-03-14
產品型號:V00145-Group1
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795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±10°C) 產品總覽 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。
更新時間:2025-03-14
產品型號:V00145-Group2
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CWLD連續激光二極管 980nm 1W 產品總覽 這些二極管在多種橫向模式下運行,可產生更高的輸出功率。最合適的 LD 可以選自各種波長、發光部的大小、輸出功率等。
更新時間:2025-03-13
產品型號:L9418-42
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